APT1204R7SFLLG, MOSFET FREDFET MOS7 1200 V 4.7 Ohm TO-268
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 250 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 250 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.5 A |
| Manufacturer: | Microchip |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | D3PAK-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 135 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 31 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.7 Ohms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 6.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 241 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![STW21NM60ND, Транзистор N-MOSFET 600В 17А [TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758073.jpg)
![STW88N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 0.024Ом, 84А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
ST Microelectronics
3 520 руб.
![MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт, 12.5 В [TO-272-6 WRAP]](https://static.chipdip.ru/lib/894/DOC005894901.jpg)
![Транзистор 60R165CP, тип N, 192 Вт, корпус D2PAK [TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/126/DOC011126100.jpg)
