P22F10SN-5600, Транзистор: N-MOSFET, EETMOS3, полевой, 100В, 22А, Idm: 66А, 35Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт. со склада г.Москва
250 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 250 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, EETMOS3, полевой, 100В, 22А, Idm: 66А, 35Вт Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | FTO-220AG(SC91) |
| Drain current | 22A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Gate charge | 34nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Manufacturer | SHINDENGEN |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 28mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 35W |
| Pulsed drain current | 66A |
| Technology | EETMOS3 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 1.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 11076 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
