LBSS123LT1G
400 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
91 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
39 руб.
от 10 шт. —
21 руб.
от 100 шт. —
6.24 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 182 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8020347795
Бренд: Leshan Radio Co
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: LBSS123LT1G)
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 170mA |
| Manufacturer | Leshan Radio |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 225mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6Ω @ 100mA, 10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 1mA |
| Continuous Drain Current (Id) | 170mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.8Ω |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Type | N Channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 360 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
