BSP89.115, Транзистор

Фото 1/4 BSP89.115, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
50 шт. со склада г.Москва
290 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 290 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8020554729
Артикул: BSP89.115
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 240В, 375мА, 1,5Вт, SOT223 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 375 mA
Pd - рассеивание мощности 1.5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 240 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 800 mV
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.7 mm
Длина 6.7 mm
Другие названия товара № 934018750115
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Продукт MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-223-3
Ширина 3.7 mm
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 2.8Ом
Power Dissipation 1.5Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 240В
Непрерывный Ток Стока 340мА
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 1.5Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 2.8Ом
Стиль Корпуса Транзистора SOT-223
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, кг 7.21

Техническая документация

BSP89
pdf, 55 КБ
Datasheet
pdf, 104 КБ
Datasheet BSP89.115
pdf, 170 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.