CPC5602CTR, МОП-транзистор N-канальный MOSFET 350В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 22 шт. —
110 руб.
от 43 шт. —
93 руб.
от 86 шт. —
89 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 520 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
МОП-транзистор N-канальный MOSFET 350В
Технические параметры
Корпус | SOT-223 | |
Id - непрерывный ток утечки | 5 mA | |
Pd - рассеивание мощности | 2.5 W | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14 Ohms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 350 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Канальный режим | Depletion | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Коммерческое обозначение | Clare | |
Конфигурация | Single Dual Drain | |
Максимальная рабочая температура | + 85 C | |
Минимальная рабочая температура | 40 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Продукт | PCB Mount | |
Размер фабричной упаковки | 1000 | |
Серия | CPC5602 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Торговая марка | IXYS Integrated Circuits | |
Упаковка / блок | SOT-223-3 | |
California Prop 65 | Warning Information | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5mA (Ta) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 350V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | -0.35V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Feature | Depletion Mode | |
FET Type | N-Channel | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) | |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA | |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14Ohm @ 50mA, 350mV | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Supplier Device Package | SOT-223 | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±20V | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов