BTS3207NHUMA1, 1Low Side Power Switch IC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
410 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 050 руб.
Описание
Semiconductors\Power Management ICs\Power Switch ICs
The Infineon N channel vertical power FET in smart SIPMOS technology. It is fully protected by embedded protection functions.
Технические параметры
| Maximum Operating Current | 0.64A |
| Number of Channels | 1 |
| Number of Outputs | 1 |
| Power Switch Topology | Low Side |
| Switch On Resistance | 500mΩ |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 270 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Переключатели распределения питания, драйверы нагрузки»
Типы корпусов импортных микросхем
Похожие товары
![BTS4140NHUMA1, Интеллектуальный ключ 62V HISID [SOT-223-4]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
![TD62064APG, Транзисторная сборка Darlington NPN 50В 1.5А [DIP-16]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304674.jpg)
![BSP772TXUMA1, Умный переключатель питания, технология SIPMOS, высокая сторона, 1 выход, 12А [SOIC-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![BTS612N1E3128ABUMA1, Интеллектуальный ключ, PROFET, 2-канала 62В (каждый 2.3А 200мОм) [TO-263-7]](https://static.chipdip.ru/lib/743/DOC000743771.jpg)
