N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V, 3-Pin TO-220 TK35E08N1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 шт., срок 6 недель
270 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 13 500 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 55 A |
Maximum Drain Source Resistance | 12.2 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 72 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Series | TK |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
Width | 4.45mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары