C2M0080120D, Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 1.2KВ 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
50 шт. со склада г.Москва, срок 8 дней
2 330 руб.
от 2 шт. —
2 190 руб.
от 3 шт. —
2 110 руб.
от 5 шт. —
2 000 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 330 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Транзисторы на основе карбида кремния (SIC)
Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 1.2KВ 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Технические параметры
Корпус | TO-247-3 | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 31 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 208 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 1200 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +25 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.2V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 208 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.7V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-247 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | SiC | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 49.2 nC @ 20 V | |
Width | 5.21mm | |
Вес, г | 7.967 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.