BSS138PW,115, Транзистор полевой N-канальный 60В 320мА 0.31Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5683 шт. со склада г.Москва, срок 8 дней

10 руб.

Мин. кол-во для заказа 48 шт.

от 233 шт. — 8 руб.

от 465 шт. — 6.30 руб.

от 930 шт. — 5.50 руб.

Добавить в корзину 48 шт. на сумму 480 руб.

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8020743558

Артикул: BSS138PW,115

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 60В 320мА 0.31Вт

Корпус	sot-323
кол-во в упаковке	3000
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	320 mA
Maximum Drain Source Resistance	1.6 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	310 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	0.9V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-323
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	0.72 nC @ 4.5 V
Width	1.35mm
Brand:	Nexperia
Channel Mode:	Enhancement
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Id - Continuous Drain Current:	320 mA
Manufacturer:	Nexperia
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	SOT-323-3
Part # Aliases:	934064987115
Pd - Power Dissipation:	310 mW
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	720 pC
Qualification:	AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance:	1.6 Ohms
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	900 mV
Вес, г	0.02