Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › MJ15004G, Транзистор: PNP, биполярный, 140В ...

MJ15004G, Транзистор: PNP, биполярный, 140В, 20А, 250Вт, TO3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 150 руб.

от 3 шт. — 1 040 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 150 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8021106121

Артикул: MJ15004G

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 140В, 20А, 250Вт, TO3 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	PNP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	250 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	8.51 mm
Длина	39.37 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	20 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	140 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	140 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	20 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	2 MHz
Размер фабричной упаковки	100
Серия	MJ15004
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	TO-204-2
Ширина	26.67 mm
Brand	ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO	140 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	140 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	20 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	25
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	100
Gain Bandwidth Product fT	2 MHz
Height	8.51 mm(Max)
Length	39.37 mm
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current	20 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-204-2
Packaging	Tray
Pd - Power Dissipation	250 W
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	MJ15004
Transistor Polarity	PNP
Width	26.67 mm(Max)
Maximum Collector Base Voltage	140 V
Maximum Collector Emitter Voltage	140 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	2 MHz
Maximum Power Dissipation	250 W
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-204AA
Pin Count	2
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	PNP
Вес, г	13.04