G3R160MT12J

G3R160MT12J
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
3 460 руб.
от 2 шт.3 260 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 460 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8021208528

Описание

Электроэлемент
Vds:1.2Kv; No. Of Pins:7Pins; Rds(On) Test Voltage:15V; Power Dissipation:128W Rohs Compliant: Yes |Genesic Semiconductor G3R160MT12J

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.16Ом
Power Dissipation 128Вт
Количество Выводов 7вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора Single
Линейка Продукции G3R
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Напряжение Измерения Rds(on) 15В
Напряжение Истока-стока Vds 1.2кВ
Непрерывный Ток Стока 22А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.69В
Рассеиваемая Мощность 128Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.16Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Вес, г 1.86

Техническая документация

Datasheet G3R160MT12J
pdf, 1304 КБ
Документация
pdf, 1097 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.