Память DDR4 Samsung M393A8G40AB2-CWE 64Gb DIMM ECC Reg PC4-25600 CL22 3200MHz

Фото 1/9 Память DDR4 Samsung M393A8G40AB2-CWE 64Gb DIMM ECC Reg PC4-25600 CL22 3200MHz
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
200 шт. со склада г.Москва
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
22 430 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 22 430 руб.
Номенклатурный номер: 8021251224
Артикул: M393A8G40AB2-CWE

Описание

Серверы и СХД\Серверные опции\Память
Оперативная память Samsung 64 ГБ M393A8G40AB2-CWE (DIMM DDR4) Внешний вид и/или характеристики товара могут быть изменены производителем в соответствии с производственным процессом.

Технические параметры

Тип DDR4
Количество контактов 288-pin
Напряжение, В 1.2
Форм-фактор DIMM
Конфигурация 2Rx4
Количество модулей 1
Буферизация registered
Латентность CL22
Показатель скорости PC4-25600
Error Checking and Correction (ECC) Да
Емкость одного модуля, МБ 65536
PartNumber/Артикул Производителя M393A8G40AB2-CWE
Бренд SAMSUNG
Количество рангов (Ranks) dual rank
Модель M393A8G40AB2-CWE
Назначение (для сайта Ситилинк) для платформ
Обозначение памяти (только для Ситилинка) RDIMM
Оригинал (Н) S
Платформы для всех платформ
Частотная спецификация 3200
Количество модулей в комплекте, шт. 1
Небуферизированная память (UDIMM) Нет
Номинальное напряжение, В 1.2
Общий объем, Гбайт 64
Объем одного модуля, Гбайт 64
Память с коррекцией ошибок Да
Регистровая память (RDIMM) Да
Тип памяти DDR4
Вид поставки OEM
Количество модулей в комплекте, шт 1
Комплект поставки Модуль памяти
Объем одного модуля, ГБ 64
Поддержка ECC Да
Пропускная способность, Мб/с 25600
Стандарт памяти DDR4
Эффективная частота, МГц 3200
Количество модулей в комплекте 2
Латентность (CL) н/д
Наличие буфера на модуле памяти (Registered) Да
Объём, Мб 65536
Пропускная способность, Мб/сек. 25600
Тип оперативной памяти DDR4
Форм-фактор оперативной памяти RDIMM
Частота функционирования, МГц 3200
CAS Latency 22T
PC-индекс PC4-25600
Назначение память для серверов
Напряжение питания,В 1.2
Низкопрофильная память (Low Profile) Нет
Объем,Гб 64
Охлаждение нет
Подсветка модуля памяти Нет
Пропускная способность,Мбит/с 25600
Расположение чипов двустороннее
Тайминги 22-22-22
Цвет зеленый
Частота памяти,МГц 3200
Частота при разгоне,МГц 3200
Число микросхем 36
Гарантия 12
Код коррекции ошибок (ECC) поддерживается
Напряжение 1.2 В
Объем 65536 МБ
CAS Latency (CL) 22
pictureID 514341
RAS to CAS Delay (tRCD) 22
Row Precharge Delay (tRP) 22
Дополнительная информация нет
Количество модулей в комплекте (шт) 1
масса(кг) 0.03
Напряжение (В) 1.2
Низкопрофильная нет
Нормальная операционная температура (Tcase) 85 °C
Общий объем памяти (ГБ) 64
Объем одного модуля (ГБ) 64
описание Память M393A8G40AB2-CWE от Samsung
Поддержка Reg Есть
Поддержка водяного охлаждения нет
Подсветка Нет
Производитель Samsung
Пропускная способность (МБ/с) 25600
Радиатор Нет
Расширенная операционная температура (Tcase) 95 °C
Тип модуля RDIMM
Тип оборудования Оперативная память
Частота (MHz) DDR4-3200
Гарантийный срок 36 МЕС
Коммерческий Да
Объем одного модуля 64 gb
Объем памяти 64 ГБ
Рабочая частота 3.2 ГГЦ
Радиатор охлаждения Нет
Регистровая память Нет
Страна происхождения Китай
Форм-фактор памяти DIMM
Traceability N
Количество 1
Напряжение питания, В 1.2
Объем модуля памяти 64Гб
Объем, м3 0.0001
Производитель чипа Samsung
Форм-фактор модуля 288-pin DIMM
Частота работы оперативной памяти, МГц 3200
Вес, г 38.24

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.