DG75X12T2, Биполярный транзистор IGBT, 1200В 150A TO-247 PLUS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 шт. со склада г.Москва, срок 8 дней
1 240 руб.
от 3 шт. —
1 150 руб.
от 5 шт. —
1 090 руб.
от 9 шт. —
1 030 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 240 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1200В 150A TO-247 PLUS
Технические параметры
Корпус | TO-247 | |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В | |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ | |
Continuous Collector Current | 150А | |
Power Dissipation | 1.415кВт | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Линейка Продукции | DOSEMI Trench | |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
Монтаж транзистора | Through Hole | |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 Plus | |
Вес, г | 10 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.