DG20X06T2, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
286 шт. со склада г.Москва, срок 9 дней
290 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
240 руб.
от 20 шт. —
221 руб.
от 60 шт. —
207 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 580 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А
Технические параметры
| Корпус | TO-247 | |
| Case | TO247 | |
| Collector current | 29A | |
| Collector-emitter voltage | 600V | |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode | |
| Gate charge | 0.14µC | |
| Gate-emitter voltage | ±20V | |
| Kind of package | tube | |
| Manufacturer | STARPOWER SEMICONDUCTOR | |
| Mounting | THT | |
| Power dissipation | 166W | |
| Pulsed collector current | 60A | |
| Turn-off time | 200ns | |
| Turn-on time | 26ns | |
| Type of transistor | IGBT | |
| Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 671 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![CRG40T100BX3S, Транзистор IGBT 1000В 40А 297Вт Trench FS III [TO-247PLUS]](https://static.chipdip.ru/lib/889/DOC037889158.jpg)
![GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![CRG75T60AK3HD, Транзистор IGBT 650В 75А 469Вт Trench FS III [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![ISL9V3040S3ST, Транзистор IGBT 400В 21А [D2-PAK/ TO-263AB]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
