Fairchild ISL9V3040P3 IGBT, 21 A 450 V, 3-Pin TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
990 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 49 500 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 450 V |
Maximum Continuous Collector Current | 21 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±14V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 150 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220AB |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары