IXTP1R6N50D2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 1,6А, 100Вт, TO220-3, 400нм

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

640 руб.

от 3 шт. — 540 руб.

от 10 шт. — 463 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 640 руб.

Номенклатурный номер: 8021473777

Артикул: IXTP1R6N50D2

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 1,6А, 100Вт, TO220-3, 400нм Характеристики

Id - непрерывный ток утечки	1.6 A
Pd - рассеивание мощности	100 W
Qg - заряд затвора	23.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	70 ns
Время спада	41 ns
Канальный режим	Depletion
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	1.75 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	MOSFET
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IXTP1R6N50
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	35 ns
Типичное время задержки при включении	25 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Вес, г	2.07

Мы рекомендуем