APTGLQ25H120T1G, IGBT Modules CC8121
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
17 890 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 17 890 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
Brand: | Microchip Technology |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.05 V |
Configuration: | Quad |
Continuous Collector Current at 25 C: | 50 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 150 nA |
Manufacturer: | Microchip |
Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +125 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Chassis Mount |
Package / Case: | SP1 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 165 W |
Product Category: | IGBT Modules |
Product Type: | IGBT Modules |
Product: | IGBT Silicon Modules |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 80 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 448 КБ