F3L225R12W3H3B11BPSA1, IGBT Modules EASY STANDARD PLUS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

33 000 руб.

от 8 шт. — 26 600 руб.

от 24 шт. — 25 640 руб.

от 56 шт. — 24 852.83 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 33 000 руб.

Номенклатурный номер: 8021803107

Артикул: F3L225R12W3H3B11BPSA1

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules

Brand:	Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.55 V
Configuration:	Half Bridge
Continuous Collector Current at 25 C:	175 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	8
Gate-Emitter Leakage Current:	100 nA
Manufacturer:	Infineon
Maximum Operating Temperature:	+125 C
Minimum Operating Temperature:	-40 C
Mounting Style:	Screw Mount
Package / Case:	EasyPACK
Packaging:	Tray
Part # Aliases:	F3L225R12W3H3_B11 SP005675779
Pd - Power Dissipation:	20 mW
Product Category:	IGBT Modules
Product Type:	IGBT Modules
Product:	IGBT Silicon Modules
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si