STW10NK60Z, Транзистор полевой (N-канал 600В 10А TO247)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
159 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 дня
76 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 380 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 5,7А, 156Вт, TO247-3 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Base Product Number | STW10 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
Package | Tube |
Package / Case | TO-247-3 |
Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 4.5A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | SuperMESHв„ў -> |
Supplier Device Package | TO-247-3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250ВµA |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.65Ом |
Power Dissipation | 156Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 10А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3.75В |
Рассеиваемая Мощность | 156Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.65Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
Maximum Drain Source Resistance | 750 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 156 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
Width | 5.15mm |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
Fall Time: | 30 ns |
Forward Transconductance - Min: | 7.8 S |
Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 156 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 50 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 750 mOhms |
Rise Time: | 20 ns |
Series: | STW10NK60Z |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | SuperMESH |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 8.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.