TK9J90E, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 9А, 250Вт, TO3PN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт. со склада г.Москва
1 020 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 020 руб.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 9А, 250Вт, TO3PN Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.3 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 900 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 250 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-3PN |
| Pin Count | 3 |
| Series | TK |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Width | 4.5mm |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
