STP110N8F6, Транзистор MOSFETs 80V 110A 6.5m-@10V,55A 200W 4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
47 шт. со склада г.Москва
220 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Стандартные продукты
Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 48 ns |
Id - Continuous Drain Current | 110 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number Of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220-3 |
Pd - Power Dissipation | 200 W |
Product Category | MOSFET |
Product Type | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 150 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 6.5 mOhms |
Rise Time | 61 ns |
Series | STP110N8F6 |
Subcategory | MOSFETs |
Technology | Si |
Tradename | STripFET |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel Power MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 162 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 24 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
Automotive | No |
Channel Type | N |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 110 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6.5@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 80 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4.5 |
Maximum IDSS (uA) | 1 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 200000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | STripFET F6 |
Standard Package Name | TO |
Supplier Package | TO-220AB |
Supplier Temperature Grade | Industrial |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 48 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 150 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 150@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 9130@40V |
Typical Rise Time (ns) | 61 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 162 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 24 |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 48 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 110 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 200 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 150 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.5 mOhms |
Rise Time: | 61 ns |
Series: | STP110N8F6 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | STripFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 162 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.