IXTP80N10T, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 80A 230Вт 0,014Ом TO220AB

Фото 1/3 IXTP80N10T, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 80A 230Вт 0,014Ом TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
340 руб.
от 10 шт.300 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 340 руб.
Номенклатурный номер: 8021998303
Артикул: IXTP80N10T
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В 80A 230Вт 0,014Ом TO220AB

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.014Ом
Power Dissipation 230Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции Trench
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 100В
Непрерывный Ток Стока 80А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 4.5В
Рассеиваемая Мощность 230Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.014Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220
Вес, г 2.3

Техническая документация

Datasheet IXTP80N10T
pdf, 289 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов