FDME1024NZT, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 3,8А, 1,4Вт, MicroFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
от 30 шт. —
141 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 280 руб.
Описание
20V 3.8A 66mΩ@4.5V,3.4A 600mW 1V@250uA 2 N-Channel MicroFET(1.6x1.6) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 3.8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 66mΩ@4.5V, 3.4A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 300pF@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 600mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4.2nC@4.5V |
| Type | 2 N-Channel |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.055Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.055Ом |
| Power Dissipation N Channel | 1.4Вт |
| Power Dissipation P Channel | 1.4Вт |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 20В |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 3.8А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 3.8А |
| Стиль Корпуса Транзистора | µFET |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.02 |
