STD13NM60ND
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
2 220 руб.
от 2 шт. —
2 100 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 220 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 600V, 11A, 109W, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.32ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V;
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 15.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 11 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 109 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 24.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 380 mOhms |
| Rise Time | 10 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel MDmesh |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 9.6 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 46.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Pd - рассеивание мощности | 109 W |
| Qg - заряд затвора | 24.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 380 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 10 ns |
| Время спада | 15.4 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | STD13NM60ND |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 9.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 46.5 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 380 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Power Dissipation | 109 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 24.5 nC @ 10 V |
| Width | 6.2mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1546 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
