FF450R12KT4, Полумост IGBT, Urmax 1,2кВ, Ic 450А, P 2,4кВт, Ifsm 900А, винтами
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 020 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 23 020 руб.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1200 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.1 V |
| Configuration: | Dual |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 580 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Chassis Mount |
| Package/Case: | 62 mm |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | SP000370613 FF450R12KT4HOSA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 2400 W |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Series: | Trenchstop IGBT4-T4 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Вес, г | 323 |
Техническая документация
Datasheet FF450R12KT4
pdf, 617 КБ
Дополнительная информация
Похожие товары
![SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]](https://static.chipdip.ru/lib/035/DOC001035036.jpg)
![SKIIP35NAB126V1 + Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper + 3-фазный мостовой инвертор) [MiniSKiiP 3]](https://static.chipdip.ru/lib/098/DOC006098584.jpg)
