IRFI830GPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 2А, 35Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 2А, 35Вт, TO220FP Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 3.1 A |
Pd - рассеивание мощности | 35 W |
Qg - заряд затвора | 38 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IRFI |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес, г | 4.899 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1541 КБ
Datasheet IRFI830GPBF
pdf, 1544 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов