STP11NM80, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 11А, 150Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 дня
570 руб.
от 13 шт. —
520 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 570 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 11А, 150Вт, TO220-3 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
Maximum Drain Source Resistance | 400 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 150 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Series | MDmesh |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 43.6 nC @ 10 V |
Width | 4.6mm |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 15 ns |
Forward Transconductance - Min: | 8 S |
Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 150 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 43.6 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 400 mOhms |
Rise Time: | 17 ns |
Series: | STP11NM80 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
Диапазон рабочих температур | -65…+150 °С |
Емкость, пФ | 1630 |
Заряд затвора, нКл | 43.6 |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 11 |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 400 |
Мощность | рассеиваемая(max)-150 Вт |
Описание | N-Channel 800 V 11A(Tc)150W(Tc)Through Hole TO-220 |
Способ монтажа | Through Hole |
Тип | MOSFET |
Тип проводимости | N |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*46/300 |
Упаковка | TUBE, 50 шт. |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.