GD150HFL120C8S, IGBT , Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1071
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт. со склада г.Москва, срок 3-8 дней
8 320 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 320 руб.
Описание
Силовые IGBTи SiC модули
Технические параметры
Макс.напр.к-э,В | 1200 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.