FDN327N(UMW)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19310 шт., срок 7-9 недель
12 руб.
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
10 руб.
от 300 шт. —
7.80 руб.
от 3000 шт. —
6.46 руб.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 360 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40 мОм/2А, 4.5В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 | |
| Крутизна характеристики, S | 11 | |
| Корпус | SOT-23-3 | |
| Вес, г | 490 |
Техническая документация
Datasheet UMW FDN327N
pdf, 397 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
![1N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![AO3422A, Транзистор N-MOSFET 60В 2.1А [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![AO4405, Транзистор P-MOSFET 30В 6А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
