FDN359AN(UMW)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16345 шт., срок 7-9 недель
20 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
16 руб.
от 150 шт. —
14 руб.
от 500 шт. —
10.78 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 400 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.7 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 37 мОм/2.7A, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 | |
| Крутизна характеристики, S | 9.5 | |
| Корпус | SOT-23-3 | |
| Вес, г | 210 |
Техническая документация
Datasheet UMW FDN359A
pdf, 410 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![20N06, Транзистор N-MOSFET 60В 20А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
