RN1106MFV,L3F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
60 шт., срок 7-9 недель
55 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 550 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Built-in bias resistors, use of fewer parts enables device size reduction and space-saving assembly Wide resistance-value range makes product suitable for diverse applications
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum DC Current Gain | 80 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | ESM |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Typical Input Resistor | 4.7 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 0.1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![DTA124ESATP, Цифровой PNP транзистор, управляемый, [TO-92S/formed]](https://static.chipdip.ru/lib/225/DOC000225827.jpg)
