12N10
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3420 шт., срок 7-9 недель
24 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
19 руб.
от 150 шт. —
16 руб.
от 500 шт. —
13.21 руб.
Добавить в корзину 15 шт.
на сумму 360 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
TO-252 N-Channel MOSFETs ROHS,VDS = 100V, ID =15A
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 114 мОм/3А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 96 | |
| Крутизна характеристики, S | 35 | |
| Корпус | dpak | |
| Вес, г | 7 |
Техническая документация
Datasheet 12N10
pdf, 437 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![100N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
