Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Транзисторы цифровые (BRTs) › Toshiba › RN1107,LF(CT

RN1107,LF(CT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

558 шт., срок 7-9 недель

11 руб.

Мин. кол-во для заказа 32 шт.

Добавить в корзину 32 шт. на сумму 352 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8022928339

Бренд: Toshiba

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	100 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	80
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	RN1107
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	0.213
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-416-3
Base Product Number	2SK2837 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	250MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	SC-75, SOT-416
Power - Max	100mW
Resistor - Base (R1)	10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
RoHS Status	RoHS Compliant
Supplier Device Package	SSM
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V