IPD060N03LG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2179 шт., срок 7-9 недель
63 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
49 руб.
от 30 шт. —
43 руб.
от 100 шт. —
34.78 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 378 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 мОм/30А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 56 | |
| Крутизна характеристики, S | 67 | |
| Корпус | dpak |
Техническая документация
Datasheet IPD060N03L
pdf, 452 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS6681Z, Транзистор P-MOSFET 30В 18А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![FQD17P06TM, Транзистор P-MOSFET 60В 12A 2.5Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![IRF4905STRL, Транзистор P-MOSFET 60В 42A 170Вт [D2PAK / TO-263]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
