40N06
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2185 шт., срок 7-9 недель
34 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
27 руб.
от 150 шт. —
24 руб.
от 500 шт. —
17.96 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 340 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
TO-252 N-Channel MOSFETs ROHS VDS = 60V, ID =40A аналог:UMW40N06
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 14 мОм/30А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 105 | |
| Крутизна характеристики, S | - | |
| Корпус | dpak |
Техническая документация
Datasheet 40N06
pdf, 1202 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![4N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 4А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![4N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 4А 33Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![AO4423, Транзистор P-MOSFET 30В 10.9А 2.7Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
