2ED21844S06JXUMA1, Gate Driver, 1 канал(-ов), Полумост, IGBT, MOSFET, 14 вывод(-ов), SOIC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
730 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
610 руб.
от 50 шт. —
551 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 920 руб.
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов
The Infineon 650 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode has unique Infineon Thin-Film-Silicon on Insulator (SOI)-Technology and Interlocking function with internal 400 ns dead time and programmable up to 5 us with external resistor.
Технические параметры
Тип входа | Non-Inverting | |
IC Case / Package | SOIC | |
Задержка Выхода | 200нс | |
Задержка по Входу | 600нс | |
Количество Выводов | 14вывод(-ов) | |
Количество Каналов | 1канал(-ов) | |
Конфигурация Привода | Полумост | |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C | |
Максимальное Напряжение Питания | 20В | |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C | |
Минимальное Напряжение Питания | 10В | |
Стиль Корпуса Привода | SOIC | |
Тип переключателя питания | IGBT, MOSFET | |
Ток истока | 2.5А | |
Ток стока | 2.5А | |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов | |
Fall Time | 30ns | |
Output Current | 2.5 A | |
Package Type | DSO-14 | |
Pin Count | 14 | |
Supply Voltage | 25V | |
Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1066 КБ
Datasheet 2ED21844S06JXUMA1
pdf, 1092 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
Похожие товары