2ED21844S06JXUMA1, Gate Driver, 1 канал(-ов), Полумост, IGBT, MOSFET, 14 вывод(-ов), SOIC

Фото 1/2 2ED21844S06JXUMA1, Gate Driver, 1 канал(-ов), Полумост, IGBT, MOSFET, 14 вывод(-ов), SOIC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
730 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.610 руб.
от 50 шт.551 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 2 920 руб.
Номенклатурный номер: 8002428808
Артикул: 2ED21844S06JXUMA1

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов
The Infineon 650 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode has unique Infineon Thin-Film-Silicon on Insulator (SOI)-Technology and Interlocking function with internal 400 ns dead time and programmable up to 5 us with external resistor.

Технические параметры

Тип входа Non-Inverting
IC Case / Package SOIC
Задержка Выхода 200нс
Задержка по Входу 600нс
Количество Выводов 14вывод(-ов)
Количество Каналов 1канал(-ов)
Конфигурация Привода Полумост
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Максимальное Напряжение Питания 20В
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Минимальное Напряжение Питания 10В
Стиль Корпуса Привода SOIC
Тип переключателя питания IGBT, MOSFET
Ток истока 2.5А
Ток стока 2.5А
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 3-168 часов
Fall Time 30ns
Output Current 2.5 A
Package Type DSO-14
Pin Count 14
Supply Voltage 25V
Вес, г 0.45

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1066 КБ
Datasheet 2ED21844S06JXUMA1
pdf, 1092 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем