STB21NM60ND
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 шт. со склада г.Москва, срок 3 недели
160 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 800 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы полевые
транз: N-MOSFET 600V 17A <0,17Om
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 17A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 50V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 140W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 8.5A, 10V |
| Series | FDmeshв(ў II |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
...21NM60ND
pdf, 1389 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
