STB80NF55L-06T4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
265 шт. со склада г.Москва, срок 3 недели
110 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 550 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы полевые
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 55В, 80А, 300Вт, D2PAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 180 ns |
| Время спада | 80 ns |
| Высота | 4.6 mm |
| Длина | 10.4 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STB80NF55L-06 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 135 ns |
| Типичное время задержки при включении | 32 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 9.35 mm |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.005Ом |
| Power Dissipation | 300Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 55В |
| Непрерывный Ток Стока | 80А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Рассеиваемая Мощность | 300Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.005Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| RoHS Compliant | Yes |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 7 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | STripFET II |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 100 nC @ 5 V |
| Width | 9.35mm |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 848 КБ
Datasheet STB80NF55L-06T4
pdf, 398 КБ
Datasheet STB80NF55L-06T4
pdf, 398 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
