STLD128DNT4

STLD128DNT4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1900 шт. со склада г.Москва, срок 11 дней
20 руб.
Кратность заказа 100 шт.
Добавить в корзину 100 шт. на сумму 2 000 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8023500816
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы биполярные
Транзистор биполярный STLD128DNT4

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 20 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 2.4 mm
Длина 6.2 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 8
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 10
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 6 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 400 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 18 V
Непрерывный коллекторный ток 3 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 2500
Серия STL128DN
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка / блок DPAK-3
Ширина 6.6 mm
Brand STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 400 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 3 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 8
DC Current Gain hFE Max 10
Emitter- Base Voltage VEBO 18 V
Factory Pack Quantity 2500
Height 2.4 mm
Length 6.2 mm
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current 6 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case DPAK-3
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 20 W
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series STLD128DN
Transistor Polarity NPN
Width 6.6 mm
Вес, г 2.5

Техническая документация

Datasheet STLD128DNT4
pdf, 402 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.