1N4448HLP-7, Диод: импульсный, SMD, 80В, 300мА, 4нс, DFN2, Ufmax: 1В, бобина, лента
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
58 руб.
от 25 шт. —
18 руб.
от 100 шт. —
15 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 58 руб.
Описание
Описание Диод: импульсный, SMD, 80В, 300мА, 4нс, DFN2, Ufmax: 1В, бобина, лента Характеристики
| Категория | Диод |
| Тип | импульсный |
Технические параметры
| If - прямой ток | 125 mA |
| Ir - обратный ток | 50 uA |
| Vf - прямое напряжение | 1.25 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время восстановления | 4 ns |
| Высота | 0.47 mm |
| Длина | 1 mm |
| Категория продукта | Диоды - общего назначения, управление питанием, ко |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный ток перегрузки | 2 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Пиковое обратное напряжение | 80 V |
| Подкатегория | Diodes Rectifiers |
| Продукт | Switching Diodes |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 1N4448 |
| Тип | Switching Diode |
| Тип продукта | Diodes - General Purpose, Power, Switching |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | DFN-2 |
| Ширина | 0.6 mm |
| Base Product Number | 1N4448 -> |
| Capacitance @ Vr, F | 3pF @ 0.5V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 125mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100nA @ 80V |
| Diode Type | Standard |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0070 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65В°C ~ 150В°C |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 0402 (1006 Metric) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Speed | Small Signal = |
| Supplier Device Package | X1-DFN1006-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
| If - Forward Current | 125mA |
| Peak Reverse Voltage | 80V |
| Trr - Reverse Recovery Time | 4ns |
| Vf - Forward Voltage | 1V @ 100mA |
| Automotive | No |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | No Lead |
| Maximum Continuous Forward Current (A) | 0.3 |
| Maximum DC Reverse Voltage (V) | 80 |
| Maximum Diode Capacitance (pF) | 3 |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | 500 C/W |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 250 |
| Maximum RMS Reverse Voltage (V) | 57 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| Peak Forward Voltage (V) | 1.25 0.15A |
| Peak Non-Repetitive Surge Current (A) | 2 |
| Peak Reverse Current (uA) | 0.1 |
| Peak Reverse Recovery Time (ns) | 4 |
| Peak Reverse Repetitive Voltage (V) | 80 |
| Pin Count | 2 |
| PPAP | No |
| Standard Package Name | DFN |
| Supplier Package | X1-DFN |
| Type | Small Signal Switching Diode |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet 1N4448HLP-7
pdf, 192 КБ
Datasheet 1N4448HLP-7
pdf, 293 КБ
Datasheet 1N4448HLP-7
pdf, 289 КБ
Datasheet 1N4448HLP-7
pdf, 176 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды прочие»
Типы корпусов импортных диодов
