RN1104MFV,L3F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт., срок 7-9 недель
7 руб.
Мин. кол-во для заказа 51 шт.
Добавить в корзину 51 шт.
на сумму 357 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150mW TRANSISTOR
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество каналов | 1 Channel |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 8000 |
Серия | RN1104MFV |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 47 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 0.8 |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | SOT-723-3 |
Техническая документация
Datasheet RN1104MFV.L3F
pdf, 852 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары