RN1104MFV,L3F

RN1104MFV,L3F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
100 шт., срок 7-9 недель
7 руб.
Мин. кол-во для заказа 51 шт.
Добавить в корзину 51 шт. на сумму 357 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8024033347
Бренд: Toshiba

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150mW TRANSISTOR

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 150 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Квалификация AEC-Q101
Количество каналов 1 Channel
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 80
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 10 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 8000
Серия RN1104MFV
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 47 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 0.8
Торговая марка Toshiba
Упаковка / блок SOT-723-3

Техническая документация

Datasheet RN1104MFV.L3F
pdf, 852 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.