RN1108MFV,L3F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт., срок 7-9 недель
24 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Добавить в корзину 15 шт.
на сумму 360 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В 100 мА 150 мВт Поверхностный монтаж VESM
Технические параметры
Base Product Number | TB67S142 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SOT-723 |
Power - Max | 150mW |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Supplier Device Package | VESM |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500ВµA, 5mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Brand: | Toshiba |
Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
Configuration: | Single |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 80 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
Factory Pack Quantity: | 8000 |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | VESM-3 |
Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
Product Category: | Digital Transistors |
Product Type: | Digital Transistors |
Qualification: | AEC-Q101 |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | NPN |
Typical Input Resistor: | 47 kOhms |
Техническая документация
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары