RN1102,LF(CT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт., срок 7-9 недель
15 руб.
Мин. кол-во для заказа 24 шт.
Добавить в корзину 24 шт.
на сумму 360 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | RN1102 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | SOT-416-3 |
Техническая документация
Datasheet RN1102.LF(CT
pdf, 563 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары