FP50R06W2E3

FP50R06W2E3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10 930 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 10 930 руб.
Номенклатурный номер: 8024078760

Описание

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50A

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 175 W
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № SP000375909 FP50R06W2E3BOMA1
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Коммерческое обозначение EasyPIM
Конфигурация IGBT-Inverter
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.45 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 65 A
Подкатегория IGBTs
Продукт IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки 15
Серия Trench/Fieldstop IGBT3 - E3
Технология Si
Тип продукта IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tray
Упаковка / блок Module
Вес, г 39

Техническая документация

Datasheet FP50R06W2E3
pdf, 983 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «IGBT модули»