FP50R06W2E3
![FP50R06W2E3](https://static.chipdip.ru/lib/808/DOC006808573.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 930 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 930 руб.
Описание
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50A
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 175 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | SP000375909 FP50R06W2E3BOMA1 |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Коммерческое обозначение | EasyPIM |
Конфигурация | IGBT-Inverter |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.45 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 65 A |
Подкатегория | IGBTs |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Размер фабричной упаковки | 15 |
Серия | Trench/Fieldstop IGBT3 - E3 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Modules |
Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tray |
Упаковка / блок | Module |
Вес, г | 39 |
Техническая документация
Datasheet FP50R06W2E3
pdf, 983 КБ
Дополнительная информация
Похожие товары