IRFP450APBF, , Транзистор полевой N-канальный , 500В, 14А, 190Вт, корпус TO-247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 10 шт. —
250 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 350 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor
Технические параметры
| Корпус | TO-247AC | |
| Время | задержки включения/выключения-36/29 нс | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
| Емкость, пФ | 2038 | |
| Заряд затвора, нКл | 64 | |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±30 В | |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 500 | |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 14 | |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 400 | |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-190 Вт | |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2 В | |
| Описание | N-Channel 500 V 14A(Tc)190W(Tc)Through Hole TO-247AC | |
| Способ монтажа | Through Hole | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип проводимости | N | |
| Ток утечки | непрерывный(Id)-14 А | |
| Упаковка | TUBE, 25 шт. | |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C | |
| Максимальный непрерывный ток стока | 14 А | |
| Тип корпуса | TO-247AC | |
| Максимальное рассеяние мощности | 190 W | |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия | |
| Ширина | 5.31мм | |
| Высота | 20.7мм | |
| Размеры | 15.87 x 5.31 x 20.7мм | |
| Материал транзистора | Кремний | |
| Количество элементов на ИС | 1 | |
| Длина | 15.87мм | |
| Transistor Configuration | Одинарный | |
| Типичное время задержки включения | 15 нс | |
| Производитель | Vishay | |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns | |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 400 мΩ | |
| Максимальное напряжение сток-исток | 500 В | |
| Число контактов | 3 | |
| Категория | Мощный МОП-транзистор | |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 64 нКл при 10 В | |
| Номер канала | Поднятие | |
| Типичная входная емкость при Vds | 2038 пФ при 25 В | |
| Тип канала | N | |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 14A(Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| FET Feature | - | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2038pF @ 25V | |
| Manufacturer | Vishay Siliconix | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) | |
| Package / Case | TO-247-3 | |
| Packaging | Tube | |
| Part Status | Active | |
| Power Dissipation (Max) | 190W(Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 8.4A, 10V | |
| Series | - | |
| Supplier Device Package | TO-247-3 | |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±30V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 400 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 190 W | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | TO-247AC | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 64 nC @ 10 V | |
| Width | 5.31mm | |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*50/250 | |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 305 КБ
IRFP450 datasheet
pdf, 169 КБ
IRFP450A Datasheet
pdf, 101 КБ
Документация
pdf, 316 КБ
Datasheet IRFP450A, SiHFP450A
pdf, 332 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
