IRLML0060TRPBF, Транзистор полевой SMD (N-канал 60В 2,7А Micro3/SOT23)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

19 руб.

Мин. кол-во для заказа 29 шт.

Добавить в корзину 29 шт. на сумму 551 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8024515412

Артикул: IRLML0060TRPBF

Описание Транзистор, N-канал 60В 2.7А [мicОмo3 / SOT-23]

Крутизна характеристики S,А/В	7.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	116
Температура, С	-55…+150
Transistor Polarity	N Channel; Continuous Drain Current Id
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	2.7 A
Maximum Drain Source Resistance	92 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-16 V, +16 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.25 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	2.5 nC @ 4.5 V
Width	1.4mm
Вес, г	1