Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRFB4310PBF, Транзисторы

IRFB4310PBF, Транзисторы

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

170 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 170 руб.

Номенклатурный номер: 8024581960

Артикул: IRFB4310PBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Описание Транзистор полевой IRFB4310PBF от известного производителя INFINEON – это мощный компонент для современных электронных устройств. Устройство типа N-MOSFET, выполненное в надежном корпусе TO220AB, предназначено для монтажа в отверстия печатной платы (THT). Транзистор способен управлять током стока до 140А и поддерживать напряжение сток-исток на уровне 100В, что позволяет использовать его в высоконагруженных цепях. Мощность устройства достигает 330Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,007 Ом, обеспечивает высокую эффективность и снижение потерь мощности. Модель IRFB4310PBF станет надежным элементом в вашей электронной аппаратуре. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	140
Напряжение сток-исток, В	100
Мощность, Вт	330
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.007
Корпус	TO220AB

Технические параметры

Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)	130
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)	7 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Operating Temperature (°C)	175
Maximum Power Dissipation (mW)	300000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tube
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Process Technology	HEXFET
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO-220
Supplier Package	TO-220AB
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	78
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	170
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	170 10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	7670 50V
Typical Rise Time (ns)	110
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	68
Typical Turn-On Delay Time (ns)	26
Maximum Continuous Drain Current	130 A
Maximum Drain Source Resistance	7 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	300 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-220AB
Series	HEXFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	170 nC @ 10 V
Width	4.82mm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	130A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	250nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7670pF @ 50V
Manufacturer	Infineon Technologies
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case	TO-220-3
Power Dissipation (Max)	300W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package	TO-220AB
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Вес, г	2.84