MMBF4391LT1G

Фото 1/5 MMBF4391LT1G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
25 руб.
Мин. кол-во для заказа 14 шт.
от 100 шт.23 руб.
от 1000 шт.20 руб.
Добавить в корзину 14 шт. на сумму 350 руб.
Номенклатурный номер: 8024641753

Описание

Описание Транзистор: N-JFET, полевой, 30В, 0,225Вт, SOT23, 50мА Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид JFET

Технические параметры

Brand ON Semiconductor
Configuration Single
Drain-Source Current At Vgs=0 50 mA to 150 mA
Factory Pack Quantity 3000
Manufacturer ON Semiconductor
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3
Packaging Cut Tape or Reel
Product Category JFET
Series MMBF4391L
Transistor Polarity N-Channel
Type JFET
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage 30 V
Channel Type N
Idss Drain-Source Cut-off Current 50 to 150mA
Maximum Drain Gate Voltage 30V
Maximum Drain Source Resistance 30 Ω
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Maximum Gate Source Voltage +30 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Width 1.3mm
Drain-Gate Voltage (Max) 30(V)
Drain-Source Volt (Max) 30(V)
Gate-Source Voltage (Max) 30(V)
Mounting Surface Mount
Operating Temperature (Max) 150C
Operating Temperature (Min) -55C
Operating Temperature Classification Military
Rad Hardened No
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 174 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 128 КБ
Datasheet MMBF4391LT1G
pdf, 171 КБ
MMBF4391
pdf, 235 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов