L2N7002LT1G
32260 шт. со склада г.Москва
2 руб.
Мин. кол-во для заказа 2692 шт.
от 6000 шт. —
1.10 руб.
от 26000 шт. —
0.97 руб.
Добавить в корзину 2692 шт.
на сумму 5 384 руб.
Номенклатурный номер: 8025924367
Бренд: Leshan Radio Co
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Технические параметры
кол-во в упаковке | 1000 |
Manufacturer | Leshan Radio |
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 300mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 7.5Ω @ 500mA, 10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 250uA |
Вес, г | 0.018 |
Техническая документация
Datasheet L2N7002LT1G
pdf, 524 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.