L2N7002LT1G

32260 шт. со склада г.Москва
2 руб.
Мин. кол-во для заказа 2692 шт.
от 6000 шт.1.10 руб.
от 26000 шт.0.97 руб.
Добавить в корзину 2692 шт. на сумму 5 384 руб.
Номенклатурный номер: 8025924367
Бренд: Leshan Radio Co

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

Технические параметры

кол-во в упаковке 1000
Manufacturer Leshan Radio
Power Dissipation-Max (Ta=25°C) 300mW
Rds On - Drain-Source Resistance 7.5Ω @ 500mA, 10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Vgs - Gate-Source Voltage 2V @ 250uA
Вес, г 0.018

Техническая документация

Datasheet L2N7002LT1G
pdf, 524 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.