BSN20BKR, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,17А, 402мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт. со склада г.Москва
38 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт. —
18 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 190 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,17А, 402мВт, SOT23 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 265 mA |
Pd - рассеивание мощности | 402 mW |
Qg - заряд затвора | 0.49 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.8 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 8.4 ns |
Время спада | 5.1 ns |
Другие названия товара № | 934068054215 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel Trench MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 12.5 ns |
Типичное время задержки при включении | 7.9 ns |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Brand | Nexperia |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 5.1 ns |
Id - Continuous Drain Current | 265 mA |
Manufacturer | Nexperia |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 402 mW |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 490 pC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 2.8 Ohms |
Rise Time | 8.4 ns |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 12.5 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 7.9 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 600 mV |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 1.2V |
Maximum Continuous Drain Current | 330 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 2.8 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.4V |
Maximum Power Dissipation | 1.67 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Series | BSN20BK |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.49 nC @ 4.5 V |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.